Name: ISC0602NLSATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC0602NLSATMA1TR-ND
Price: 2.328 EUR
Availability: InStock

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ISC0602NLSATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISC0602NLSATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISC0602NLSATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISC0602NLSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISC0602NLSATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 14A/66A TDSON-8
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 14A (Ta), 66A (Tc) 2,5W (Ta), 60W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-6
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ISC0602NLSATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	14A (Ta), 66A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	7,3mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,3V bei 29µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1800 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 60W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-6
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	ISC0602N

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,94000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 2,32800

ISC0602NLSATMA1