ISZ113N10NM5LFATMA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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ISZ113N10NM5LF2ATMA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 2 647
Stückpreis : € 2,37000
Datenblatt
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N-Kanal 100 V 10 A (Ta), 63 A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8 FL
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ISZ113N10NM5LFATMA1

DigiKey-Teilenr.
448-ISZ113N10NM5LFATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
448-ISZ113N10NM5LFATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
448-ISZ113N10NM5LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
ISZ113N10NM5LFATMA1
Beschreibung
OPTIMOSTM5LINEARFET100V
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 10 A (Ta), 63 A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8 FL
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™ 5
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
10 A (Ta), 63 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
11,3mOhm bei 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,9V bei 36µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2300 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
2,5W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TSDSON-8 FL
Gehäuse / Hülle
8-PowerTDFN
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Obsolet
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