Name: ISC019N04NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC019N04NM5ATMA1TR-ND
Price: 1.476 EUR
Availability: InStock

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ISC019N04NM5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISC019N04NM5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISC019N04NM5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISC019N04NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISC019N04NM5ATMA1
Beschreibung	40V 1.9M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 29A (Ta), 170A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8 FL
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ISC019N04NM5ATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	29A (Ta), 170A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	7V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,9mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,4V bei 50µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3900 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8 FL
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	ISC019N

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,23000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 1,47600

ISC019N04NM5ATMA1