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IRLR8503PBF

DigiKey-Teilenr.
IRLR8503PBF-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IRLR8503PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 30 V 44 A (Tc) 62W (Tc) Oberflächenmontage
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
44 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
16mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
20 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1650 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
62W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA (DPAK)
Gehäuse / Hülle
TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
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