Name: IRLR3636TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR3636TRPBFTR-ND
Price: 2.508 EUR
Availability: InStock

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IRLR3636TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRLR3636TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRLR3636TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRLR3636TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRLR3636TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Standardlieferzeit des Herstellers	35 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 50 A (Tc) 143W (Tc) Oberflächenmontage
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRLR3636TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 100µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 49 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±16V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3779 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 143W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA (DPAK)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 50 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer IRLR3636
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 6,8mOhm bei 50A, 10V