Name: IRLML6401TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLML6401PBFTR-ND
Price: 0.444 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRLML6401TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRLML6401PBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRLML6401PBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRLML6401PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRLML6401TRPBF
Beschreibung	MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Standardlieferzeit des Herstellers	13 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 12 V 4,3 A (Ta) 1,3W (Ta) Oberflächenmontage Micro3™/SOT-23
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRLML6401TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	12 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,3 A (Ta)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	1,8V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	50mOhm bei 4,3A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	950mV bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	15 nC @ 5 V
Vgs (Max.)	±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	830 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,3W (Ta)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	Micro3™/SOT-23
Gehäuse / Hülle	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis-Produktnummer	IRLML6401

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