Name: IRLHS6242TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLHS6242TRPBFTR-ND
Price: 0.78 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRLHS6242TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRLHS6242TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRLHS6242TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRLHS6242TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRLHS6242TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 20 V 10 A (Ta), 12 A (Tc) 1,98W (Ta), 9,6W (Tc) Oberflächenmontage 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRLHS6242TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	20 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10 A (Ta), 12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	2,5V, 4,5V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11,7mOhm bei 8,5A, 4,5V
Vgs(th) (max.) bei Id	1,1V bei 10µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	14 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1110 pF @ 10 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,98W (Ta), 9,6W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Gehäuse / Hülle	6-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	IRLHS6242