Name: IRLB3036PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRLB3036PBF-ND
Price: 4.452 EUR
Availability: OutOfStock

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IRLB3036PBF
DigiKey-Teilenr.	448-IRLB3036PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRLB3036PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	19 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 195 A (Tc) 380W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRLB3036PBF Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	195 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,4mOhm bei 165A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	140 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	11210 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	380W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IRLB3036

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 3,71000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 4,45200

IRLB3036PBF