Name: IRL80HS120
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRL80HS120TR-ND
Price: 1.596 EUR
Availability: OutOfStock

IRL80HS120
DigiKey-Teilenr.	IRL80HS120TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRL80HS120CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRL80HS120DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRL80HS120
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 12,5 A (Tc) 11,5W (Tc) Oberflächenmontage 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRL80HS120 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	32mOhm bei 7,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 10µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	7 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	540 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	11,5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Gehäuse / Hülle	6-PowerVDFN
Basis-Produktnummer	IRL80HS120

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,33000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 1,59600

IRL80HS120