N-Kanal 250 V 45 A (Tc) 330W (Tc) Durchkontaktierung TO-262
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFSL4229PBF

DigiKey-Teilenr.
IRFSL4229PBF-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IRFSL4229PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 45A TO262
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 250 V 45 A (Tc) 330W (Tc) Durchkontaktierung TO-262
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
45 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
48mOhm bei 26A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4560 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
330W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-262
Gehäuse / Hülle
TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Fragen und Antworten zum Produkt

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Obsolet
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