N-Kanal 100 V 35 A (Tc) 42W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB voller Pack
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IRFI4510GPBF

DigiKey-Teilenr.
IRFI4510GPBF-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IRFI4510GPBF
Beschreibung
MOSFET N CH 100V 35A TO220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 35 A (Tc) 42W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB voller Pack
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
35 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
13,5mOhm bei 21A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2998 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
42W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB voller Pack
Gehäuse / Hülle
TO-220-3 voller Pack
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Obsolet
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