Name: IRFH5210TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH5210TRPBFTR-ND
Price: 2.04 EUR
Availability: InStock

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IRFH5210TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRFH5210TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRFH5210TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRFH5210TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFH5210TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 10A/55A 8PQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 10 A (Ta), 55 A (Tc) 3,6W (Ta), 104W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFH5210TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 100µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 59 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2570 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,6W (Ta), 104W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-PQFN (5x6)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 10 A (Ta), 55 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerVDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IRFH5210
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 14,9mOhm bei 33A, 10V