N-Kanal 60 V 195 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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IRFB7530PBF

DigiKey-Teilenr.
448-IRFB7530PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFB7530PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 195 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRFB7530PBF Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,7V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
411 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
13703 pF @ 25 V
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
6V, 10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2mOhm bei 100A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Letzte Kaufgelegenheit
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Verfügbar bis: 30.09.2026
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1€ 4,59000€ 4,59
50€ 2,35180€ 117,59
100€ 2,13520€ 213,52
500€ 1,75542€ 877,71
1 000€ 1,63348€ 1.633,48
2 000€ 1,53100€ 3.062,00
5 000€ 1,42020€ 7.101,00
Standardverpackung des Herstellers
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