Name: IRFB4227PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRFB4227PBF-ND
Price: 3.3 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 200 V 65 A (Tc) 330W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFB4227PBF
DigiKey-Teilenr.	448-IRFB4227PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFB4227PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 65A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 65 A (Tc) 330W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFB4227PBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 98 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4600 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 330W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -40°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 65 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IRFB4227
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 24mOhm bei 46A, 10V

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 2,75000	€ 2,75
50	€ 1,34740	€ 67,37
100	€ 1,21160	€ 121,16
500	€ 0,97340	€ 486,70
1 000	€ 0,89683	€ 896,83
2 000	€ 0,83245	€ 1.664,90
5 000	€ 0,76284	€ 3.814,20
10 000	€ 0,71985	€ 7.198,50

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