N-Kanal 75 V 130 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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IRFB3307PBF

DigiKey-Teilenr.
448-IRFB3307PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRFB3307PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 130A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 75 V 130 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Serie
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Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6,3mOhm bei 75A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 150µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5150 pF @ 50 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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