Name: IRFB3006GPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB3006GPBF-ND
Price: 1.74536 EUR
Availability: OutOfStock

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IRFB3006PBF

Infineon Technologies

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Parametrisches Äquivalent

IRFB3006PBFXKMA1

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N-Kanal 60 V 195 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

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IRFB3006GPBF
DigiKey-Teilenr.	IRFB3006GPBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFB3006GPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 195 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	195 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,5mOhm bei 170A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8970 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220AB
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IRFB3006

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