Name: IRF7749L1TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF7749L1TRPBFTR-ND
Price: 7.284 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF7749L1TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF7749L1TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF7749L1TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF7749L1TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF7749L1TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 33A DIRECTFET
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 33 A (Ta), 200 A (Tc) 3,3W (Ta), 125W (Tc) Oberflächenmontage DirectFET™, isometrisch, L8
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF7749L1TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 300 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 12320 pF @ 25 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,3W (Ta), 125W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 33 A (Ta), 200 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten DirectFET™, isometrisch, L8
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle DirectFET™, isometrisch, L8
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,5mOhm bei 120A, 10V	Basis-Produktnummer IRF7749