N-Kanal 100 V 4,2 A (Ta), 19 A (Tc) 2,2W (Ta), 42W (Tc) Oberflächenmontage DIRECTFET™ SH
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IRF6665TR1PBF

DigiKey-Teilenr.
IRF6665TR1PBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IRF6665TR1PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 4,2 A (Ta), 19 A (Tc) 2,2W (Ta), 42W (Tc) Oberflächenmontage DIRECTFET™ SH
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
4,2 A (Ta), 19 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
62mOhm bei 5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
530 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
2,2W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
DIRECTFET™ SH
Gehäuse / Hülle
DirectFET™, isometrisch, SH
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Obsolet
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