Name: IRF6646TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF6646TRPBFTR-ND
Price: 2.784 EUR
Availability: InStock

IRF6646TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF6646TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF6646TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF6646TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF6646TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 12 A (Ta), 68 A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Oberflächenmontage DIRECTFET™ MN
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF6646TRPBF Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Ta), 68 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	9,5mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,9V bei 150µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2060 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DIRECTFET™ MN
Gehäuse / Hülle	DirectFET™, isometrisch, MN
Basis-Produktnummer	IRF6646

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 2,32000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 2,78400

IRF6646TRPBF