IRF6643TRPBF Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

N-Kanal 150 V 6,2 A (Ta), 35 A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Oberflächenmontage DIRECTFET™ MZ

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF6643TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF6643TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRF6643TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRF6643TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF6643TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 150 V 6,2 A (Ta), 35 A (Tc) 2,8W (Ta), 89W (Tc) Oberflächenmontage DIRECTFET™ MZ
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF6643TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	150 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6,2 A (Ta), 35 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	34,5mOhm bei 7,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,9V bei 150µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2340 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DIRECTFET™ MZ
Gehäuse / Hülle	DirectFET™, isometrisch, MZ
Basis-Produktnummer	IRF6643

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