IRF6614TRPBF Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF6614TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRF6614TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF6614TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 12,7 A (Ta), 55 A (Tc) 2,1W (Ta), 42W (Tc) Oberflächenmontage DIRECTFET™ ST
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF6614TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12,7 A (Ta), 55 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8,3mOhm bei 12,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,25V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	29 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2560 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,1W (Ta), 42W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	DIRECTFET™ ST
Gehäuse / Hülle	DirectFET™, isometrisch, ST
Basis-Produktnummer	IRF6614