N-Kanal 200 V 12 A (Tc) 80W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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IRF200B211

DigiKey-Teilenr.
IRF200B211-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRF200B211
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 12 A (Tc) 80W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,9V bei 50µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
23 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
790 pF @ 50 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
80W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
170mOhm bei 7,2A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
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IRFB4020PBFInfineon Technologies3 604IRFB4020PBF-ND€ 1,74000Vom Hersteller empfohlen
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