Name: IRF100P218AKMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF100P218AKMA1-ND
Price: 8.484 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 100 V 209 A (Tc) 3,8W (Ta), 556W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRF100P218AKMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IRF100P218AKMA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRF100P218AKMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 209A TO247AC
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 209 A (Tc) 3,8W (Ta), 556W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRF100P218AKMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,28mOhm bei 100A, 10V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 278µA
Serie StrongIRFET™	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 412 nC @ 10 V
Verpackung Stange	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 24000 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3,8W (Ta), 556W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 209 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Gehäuse / Hülle TO-247-3

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 7,07000	€ 7,07
25	€ 4,19840	€ 104,96
100	€ 3,51440	€ 351,44
500	€ 2,96742	€ 1.483,71
1 000	€ 2,80467	€ 2.804,67

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