Name: IQE030N06NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE030N06NM5ATMA1TR-ND
Price: 3.708 EUR
Availability: OutOfStock

IQE030N06NM5ATMA1 ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Parametrisches Äquivalent

Infineon Technologies

Vorrätig: 90

Stückpreis : € 3,09000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IQE030N06NM5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQE030N06NM5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQE030N06NM5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQE030N06NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQE030N06NM5ATMA1
Beschreibung	TRENCH 40<-<100V PG-TSON-8
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 21A (Ta), 137A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSON-8-4
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQE030N06NM5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,3V bei 50µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 49 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3800 pF @ 30 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 107W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TSON-8-4
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 21A (Ta), 137A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer IQE030N
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 3mOhm bei 20A, 10V