Name: IQE013N04LM6CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6CGATMA1TR-ND
Price: 3.108 EUR
Availability: InStock

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IQE013N04LM6CGATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IQE013N04LM6CGATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IQE013N04LM6CGATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IQE013N04LM6CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IQE013N04LM6CGATMA1
Beschreibung	40V N-CH FET SOURCE-DOWN CG 3X3
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Oberflächenmontage PG-TTFN-9-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IQE013N04LM6CGATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2V bei 51µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 55 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3900 pF @ 20 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 2,5W (Ta), 107W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TTFN-9-1
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 31A (Ta), 205A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer IQE013
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,35mOhm bei 20A, 10V