N-Kanal 650 V 62 A (Tc) 329W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-U02
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IPZA65R040CM8XKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPZA65R040CM8XKSA1-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IPZA65R040CM8XKSA1
Beschreibung
IPZA65R040CM8XKSA1
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 62 A (Tc) 329W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4-U02
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
CoolMOS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
62 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
40mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,7V bei 680µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3796 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
329W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-4-U02
Gehäuse / Hülle
TO-247-4
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