N-Kanal 650 V 75 A (Tc) 446W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPZ65R019C7XKSA1

DigiKey-Teilenr.
448-IPZ65R019C7XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPZ65R019C7XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 75 A (Tc) 446W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-4
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Herst.
Serie
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Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
19mOhm bei 58,3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 2,92mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
215 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
9900 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
446W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO247-4
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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