Name: IPW65R110CFDAFKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R110CFDAFKSA1-ND
Price: 9.216 EUR
Availability: OutOfStock

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N-Kanal 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3

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IPW65R110CFDAFKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPW65R110CFDAFKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPW65R110CFDAFKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers	48 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 31,2 A (Tc) 277,8W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPW65R110CFDAFKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 118 nC @ 10 V
Herst. Infineon Technologies	Vgs (Max.) ±20V
Serie CoolMOS™	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3240 pF @ 100 V
Verpackung Stange	Verlustleistung (max.) 277,8W (Tc)
Status der Komponente Aktiv	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
FET-Typ N-Kanal	Klasse Automobiltechnik
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Qualifizierung AEC-Q101
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Montagetyp Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 31,2 A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 110mOhm bei 12,7A, 10V	Basis-Produktnummer IPW65R110
Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 1,3mA

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Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
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