Name: IPW65R018CM8XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPW65R018CM8XKSA1-ND
Price: 13.548 EUR
Availability: InStock

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPW65R018CM8XKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPW65R018CM8XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPW65R018CM8XKSA1
Beschreibung	IPW65R018CM8XKSA1
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 116 A (Tc) 521W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO247-3-U06
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPW65R018CM8XKSA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	116 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	18mOhm bei 55,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,7V bei 1,48mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	173 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8290 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	521W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO247-3-U06
Gehäuse / Hülle	TO-247-3

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30	€ 6,85167	€ 205,55
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510	€ 5,86669	€ 2.992,01

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