PG-TO251-3
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Infineon 950 V CoolMOS™ P7 MOSFETs | Digi-Key Daily

IPU95R3K7P7AKMA1

DigiKey-Teilenr.
IPU95R3K7P7AKMA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPU95R3K7P7AKMA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 950V 2A TO251-3
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 950 V 2 A (Tc) 22W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO251-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
950 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
3,7Ohm bei 800mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 40µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
196 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
22W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO251-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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2 025€ 0,32423€ 656,57
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