N-Kanal 800 V 4 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO251-3-21
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IPU80R1K4P7AKMA1

DigiKey-Teilenr.
IPU80R1K4P7AKMA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPU80R1K4P7AKMA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 4 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO251-3-21
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPU80R1K4P7AKMA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 700µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
10.05 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
250 pF @ 500 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
32W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO251-3-21
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,4Ohm bei 1,4A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (3)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
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