Name: IPT029N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT029N08N5ATMA1TR-ND
Price: 4.992 EUR
Availability: OutOfStock

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IPT029N08N5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPT029N08N5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPT029N08N5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPT029N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPT029N08N5ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 80V 52A/169A HSOF-8
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 52A (Ta), 169A (Tc) 168W (Tc) Oberflächenmontage PG-HSOF-8-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPT029N08N5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,8V bei 108µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 87 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6500 pF @ 40 V
Status der Komponente Nur verfügbar bis	Verlustleistung (max.) 168W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HSOF-8-1
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 52A (Ta), 169A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerSFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 6V, 10V	Basis-Produktnummer IPT029
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,9mOhm bei 150A, 10V