IPP70N10S3L12AKSA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Vom Hersteller empfohlen


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 2,39658
Datenblatt

Ähnlich


Texas Instruments
Vorrätig: 1 139
Stückpreis : € 1,76000
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 2,99000
Datenblatt

Ähnlich


IXYS
Vorrätig: 9 902
Stückpreis : € 3,80000
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : € 3,24000
Datenblatt
N-Kanal 100 V 70 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP70N10S3L12AKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPP70N10S3L12AKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPP70N10S3L12AKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 70 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPP70N10S3L12AKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
12,1mOhm bei 70A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2,4V bei 83µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5550 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3-1
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

Erfahren Sie, was Ingenieure fragen, stellen Sie Ihre eigenen Fragen oder helfen Sie einem Mitglied der DigiKey-Community

Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.