Parametrisches Äquivalent
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IPP65R150CFDXKSA1 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 448-IPP65R150CFDXKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP65R150CFDXKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 22,4 A (Tc) 195,3W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 900µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 86 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 2340 pF @ 100 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 195,3W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 150mOhm bei 9,3A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R150CFDXKSA2 | Infineon Technologies | 0 | 448-IPP65R150CFDXKSA2-ND | € 3,91000 | Parametrisches Äquivalent |
| FCP110N65F | onsemi | 765 | FCP110N65FOS-ND | € 6,47000 | Ähnlich |
| FCP150N65F | onsemi | 776 | FCP150N65FOS-ND | € 5,45000 | Ähnlich |
| FCP165N60E | onsemi | 1 034 | FCP165N60E-ND | € 3,73000 | Ähnlich |
| SIHP24N65E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP24N65E-E3-ND | € 5,85000 | Ähnlich |









