
IPP120N08S403AKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | 448-IPP120N08S403AKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IPP120N08S403AKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 80 V 120 A (Tc) 278W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IPP120N08S403AKSA1 Modelle |
Kategorie | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 167 nC @ 10 V |
Herst. | Vgs (Max.) ±20V |
Serie | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 11550 pF @ 25 V |
Verpackung Stange | Verlustleistung (max.) 278W (Tc) |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
FET-Typ | Klasse Automobiltechnik |
Technologie | Qualifizierung AEC-Q101 |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 80 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3-1 |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,8mOhm bei 100A, 10V | Basis-Produktnummer |
Vgs(th) (max.) bei Id 4V bei 223µA |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| FDP036N10A | onsemi | 1 809 | FDP036N10A-ND | € 5,41000 | Ähnlich |
| TK100E08N1,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 90 | TK100E08N1S1X-ND | € 5,29000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | € 7,14000 | € 7,14 |
| 50 | € 3,81120 | € 190,56 |
| 100 | € 3,48980 | € 348,98 |
| 500 | € 2,92680 | € 1.463,40 |
| 1 000 | € 2,74613 | € 2.746,13 |
| 2 000 | € 2,59431 | € 5.188,62 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | € 7,14000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | € 8,56800 |



