Name: IPP083N10N5XKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP083N10N5XKSA1-ND
Price: 2.568 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 100 V 73 A (Tc) 100W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPP083N10N5XKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPP083N10N5XKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP083N10N5XKSA1
Beschreibung	TRENCH >=100V
Standardlieferzeit des Herstellers	8 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 73 A (Tc) 100W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	73 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8,3mOhm bei 73A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,8V bei 49µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	37 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2730 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	100W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3-1
Gehäuse / Hülle	TO-220-3

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	€ 2,14000	€ 2,14
50	€ 1,04900	€ 52,45
100	€ 0,94320	€ 94,32
500	€ 0,75732	€ 378,66
1 000	€ 0,69758	€ 697,58
2 000	€ 0,64736	€ 1.294,72
5 000	€ 0,63428	€ 3.171,40

Standardverpackung des Herstellers

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