Name: IPP041N04NGXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPP041N04NGXKSA1-ND
Price: 1.656 EUR
Availability: InStock

Benötigen Sie Hilfe?

Feedback

Über DigiKey Marktplatz Verkauf auf DigiKey.com Karriere Seitenübersicht Digitale Lösungen Newsroom

Hilfe und Unterstützung Status der Bestellung Versandtarife/Optionen Rücksendungen und Probleme bei der Bestellung Impressum

Chat (+43) 720 380 109 eu.support@digikey.com Co-Browse

IPP041N04NGXKSA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPP041N04NGXKSA1-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPP041N04NGXKSA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 80 A (Tc) 94W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPP041N04NGXKSA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	80 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,1mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 45µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4500 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	94W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO220-3-1
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IPP041

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,38000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 1,65600

IPP041N04NGXKSA1