Name: IPN80R1K2P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN80R1K2P7ATMA1TR-ND
Price: 1.596 EUR
Availability: InStock

IPN80R1K2P7ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPN80R1K2P7ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPN80R1K2P7ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPN80R1K2P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPN80R1K2P7ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 4,5 A (Tc) 6,8W (Tc) Oberflächenmontage PG-SOT223
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPN80R1K2P7ATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,2Ohm bei 1,7A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 80µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	11 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	300 pF @ 500 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	6,8W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-SOT223
Gehäuse / Hülle	TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer	IPN80R1

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,33000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 1,59600

IPN80R1K2P7ATMA1