Name: IPN70R360P7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN70R360P7SATMA1TR-ND
Price: 1.848 EUR
Availability: OutOfStock

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IPN70R360P7SATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPN70R360P7SATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPN70R360P7SATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPN70R360P7SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPN70R360P7SATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223
Standardlieferzeit des Herstellers	44 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 700 V 12,5 A (Tc) 7,2W (Tc) Oberflächenmontage PG-SOT223
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPN70R360P7SATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,5V bei 150µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 16.4 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™ P7	Vgs (Max.) ±16V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 517 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 7,2W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 700 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-SOT223
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 12,5 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-261-4, TO-261AA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPN70R360
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 360mOhm bei 3A, 10V