Name: IPN70R1K4P7SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPN70R1K4P7SATMA1TR-ND
Price: 0.936 EUR
Availability: InStock

IPN70R1K4P7SATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPN70R1K4P7SATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPN70R1K4P7SATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPN70R1K4P7SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPN70R1K4P7SATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223
Standardlieferzeit des Herstellers	21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 700 V 4 A (Tc) 6,2W (Tc) Oberflächenmontage PG-SOT223
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPN70R1K4P7SATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	700 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,4Ohm bei 700mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 40µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	4.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	158 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	6,2W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-SOT223
Gehäuse / Hülle	TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer	IPN70R1

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 0,78000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 0,93600

IPN70R1K4P7SATMA1