N-Kanal 60 V 80 A (Tc) 79W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3-1
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IPI80N06S407AKSA2

DigiKey-Teilenr.
IPI80N06S407AKSA2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IPI80N06S407AKSA2
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 80A TO262-3
Standardlieferzeit des Herstellers
18 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 80 A (Tc) 79W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3-1
Datenblatt
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EDA/CAD-Modelle
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
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Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
7,4mOhm bei 80A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 40µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4500 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
79W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO262-3-1
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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