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Infineon Technologies
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N-Kanal 60 V 120 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3
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N-Kanal 60 V 120 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3
TO-262-3
AUIRFSL6535

IPI024N06N3GHKSA1

DigiKey-Teilenr.
IPI024N06N3GHKSA1-ND
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IPI024N06N3GHKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 60 V 120 A (Tc) 250W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO262-3
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
120 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,4mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 196µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
275 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
23000 pF @ 30 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
250W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO262-3
Gehäuse / Hülle
TO-262-3 mit langen Pins, I2PAK, TO-262AA
Basis-Produktnummer
IPI024N
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