IPG16N10S461ATMA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPG16N10S461ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPG16N10S461ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPG16N10S461ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPG16N10S461ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPG16N10S461ATMA1
Beschreibung	MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	MOSFETs - Arrays 100V 16A 29W Oberflächenmontage PG-TDSON-8-4
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPG16N10S461ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs FET- und MOSFET-Arrays
Hersteller	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Obsolet
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Konfiguration	2 N-Kanal (zweifach)
FET-Merkmal	-
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	16A
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	61mOhm bei 16A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 9µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	7nC bei 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	490pF bei 25V
Leistung - Max.	29W
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8-4
Basis-Produktnummer	IPG16N10