Name: IPF016N06NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPF016N06NF2SATMA1TR-ND
Price: 3.384 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPF016N06NF2SATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPF016N06NF2SATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPF016N06NF2SATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPF016N06NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPF016N06NF2SATMA1
Beschreibung	TRENCH 40<-<100V
Standardlieferzeit des Herstellers	15 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 35A (Ta), 223A (Tc) 3,8W (Ta), 188W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-7-U02
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	StrongIRFET™2
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	35A (Ta), 223A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	6V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,7mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,3V bei 129µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	162 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	7300 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3,8W (Ta), 188W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO263-7-U02
Gehäuse / Hülle	TO-263-7, D2PAK (6 Pins + Lasche)
Basis-Produktnummer	IPF016