Name: IPF009N10NM8ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPF009N10NM8ATMA1TR-ND
Price: 5.328 EUR
Availability: OutOfStock

Neues Produkt

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IPF009N10NM8ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPF009N10NM8ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPF009N10NM8ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPF009N10NM8ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPF009N10NM8ATMA1
Beschreibung	IPF009N10NM8ATMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 42A (Ta), 408A (Tc) Oberflächenmontage PG-TO263-3-2
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0.94mOhm @ 100A, 15V
Herst. Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bei Id 3.2V @ 279µA
Serie OptiMOS™ 8	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 319 nC @ 10 V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Vgs (Max.) ±20V
Status der Komponente Aktiv	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 21000 pF @ 50 V
FET-Typ N-Kanal	Verlustleistung (max.) 3.8W (Ta), 500W (Tc)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Montagetyp Oberflächenmontage
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 42A (Ta), 408A (Tc)	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO263-3-2
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 8V, 15V	Gehäuse / Hülle TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB