Name: IPDQ65R099CFD7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ65R099CFD7XTMA1TR-ND
Price: 4.452 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPDQ65R099CFD7XTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPDQ65R099CFD7XTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPDQ65R099CFD7XTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPDQ65R099CFD7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPDQ65R099CFD7XTMA1
Beschreibung	HIGH POWER_NEW
Standardlieferzeit des Herstellers	29 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 29 A (Tc) 186W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPDQ65R099CFD7XTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 480µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 39 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1942 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 186W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HDSOP-22-1
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 29 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 22-poliges PowerBSOP-Modul
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IPDQ65
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 99mOhm bei 9,7A, 10V