Name: IPDQ65R017CFD7AXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPDQ65R017CFD7AXTMA1TR-ND
Price: 17.856 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 650 V 136 A (Tc) 694W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22-1

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPDQ65R017CFD7AXTMA1
DigiKey-Teilenr.	448-IPDQ65R017CFD7AXTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-IPDQ65R017CFD7AXTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-IPDQ65R017CFD7AXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPDQ65R017CFD7AXTMA1
Beschreibung	AUTOMOTIVE_COOLMOS
Standardlieferzeit des Herstellers	42 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 136 A (Tc) 694W (Tc) Oberflächenmontage PG-HDSOP-22-1
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPDQ65R017CFD7AXTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 3,08mA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 236 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 12338 pF @ 400 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 694W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Klasse Automobiltechnik
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Qualifizierung AEC-Q101
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 136 A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-HDSOP-22-1
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 17mOhm bei 61,6A, 10V	Gehäuse / Hülle 22-poliges PowerBSOP-Modul