Name: IPD80R1K4P7ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPD80R1K4P7ATMA1TR-ND
Price: 1.596 EUR
Availability: InStock

IPD80R1K4P7ATMA1
DigiKey-Teilenr.	IPD80R1K4P7ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IPD80R1K4P7ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) IPD80R1K4P7ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD80R1K4P7ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 4A TO252
Standardlieferzeit des Herstellers	48 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 4 A (Tc) 32W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-2
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD80R1K4P7ATMA1 Modelle

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	800 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,4Ohm bei 1,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 700µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	250 pF @ 500 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	32W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO252-2
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	IPD80R1

Stückpreis ohne MwSt.:	€ 1,33000
Stückpreis mit MwSt.:	€ 1,59600

IPD80R1K4P7ATMA1