IPD048N06L3GBTMA1 Infineon Technologies | Diskrete Halbleiterprodukte

IPD048N06L3GBTMA1 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

Infineon Technologies

Vorrätig: 58 330

Stückpreis : € 2,82000

Parametrisches Äquivalent

Infineon Technologies

Vorrätig: 10 589

Stückpreis : € 1,62000

Ähnlich

Renesas Electronics Corporation

Vorrätig: 4 459

Stückpreis : € 2,82000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IPD048N06L3GBTMA1
DigiKey-Teilenr.	IPD048N06L3GBTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IPD048N06L3GBTMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 90 A (Tc) 115W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IPD048N06L3GBTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	90 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,8mOhm bei 90A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 58µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	50 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8400 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	115W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO252-3
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	IPD048