N-Kanal 40 V 100 A (Tc) 115W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-34
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 40 V 100 A (Tc) 115W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-34
Infineon OptiMOS™-5 40 V MOSFETs in SS08 | Digi-Key Daily

IPC100N04S5L1R5ATMA1

DigiKey-Teilenr.
IPC100N04S5L1R5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
IPC100N04S5L1R5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT)
IPC100N04S5L1R5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller
Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer
IPC100N04S5L1R5ATMA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 40 V 100 A (Tc) 115W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8-34
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IPC100N04S5L1R5ATMA1 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Verpackung
Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Gurtabschnitt (CT)
Digi-Reel®
Status der Komponente
Nicht für Neukonstruktionen
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,5mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
2V bei 60µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5340 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
115W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
Automobiltechnik
Qualifizierung
AEC-Q101
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TDSON-8-34
Gehäuse / Hülle
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
IPC100
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Gurtabschnitt (CT) & Digi-Reel®
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Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR)
Menge Stückpreis Gesamtpreis
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Standardverpackung des Herstellers
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